利用电子束蒸发技术在Si衬底上制备高质量氧化铜- tf的工艺可用于开发多种光电子应用

在不使用任何催化剂的情况下，使用电子束蒸发法在p型硅衬底上沉积了一层薄薄的氧化铜(I) (Cu2O)层。对所制备的氧化铜样品在300 ~ 700℃的不同退火温度下进行退火。

采用x射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对沉积态和退火态样品进行了结构和形态分析。XRD分析结果表明，cu (II) oxide (CuO)样品发生了相变，在~ 35.79°和~ 38.94°处分别出现了(11−1)和(220)晶面上的峰，证实了CuO的存在。

在600°C退火1 h后，从顶视图SEM图像上观察到半立方形状的粗糙表面。此外，通过x射线光电子能谱分析，表面成分强烈地表明，在沉积样品中形成了Cu2O，在600°C退火后转变为CuO相。此外，吸收光谱显示退火后Cu2O薄膜在IR区吸收增强。

此外，退火后样品的光带隙由~ 2.17 eV减小到~ 1.43 eV。因此，利用电子束蒸发技术在Si衬底上制备高质量氧化铜- tf的工艺可用于开发多种光电子应用。